类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -11.0 A |
封装 | SOIC-8 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5W (Ta) |
零部件系列 | IRF7424 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | -30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 23.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 4030pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | End of Life |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
超低导通电阻 Ultra Low On-Resistance
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7424TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7424TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7424PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 2.5W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7424.PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 13.5 mohm, -10 V, -2.5 V
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