| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.6A |
| 输入电容值(Ciss) | 990pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.09ohm ，ID = 3.6A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
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