| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.28 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 30 V |
| 输入电容 | 330 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.9A |
| 上升时间 | 1.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ，ID = 1.9A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)
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INFINEON IRF7465TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9A, 150V, 2.5W
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7465PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 150 V, 280 mohm, 10 V, 5.5 V
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