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IRF7470TR 数据手册 (8 页)
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IRF7470TR 技术参数、封装参数

IRF7470TR 外形尺寸、物理参数、其它

IRF7470TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IRF7470 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON)最大值= 13mohm ,ID = 10A) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7470TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新
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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7470.PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
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