Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IRF7476PBF Datasheet 文档
IRF7476PBF
来自 AiPCBA

IRF7476PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:INFINEON  IRF7476PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 12 V, 8 mohm, 4.5 V, 1.9 V
PDF文件:IRF7476PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF7476PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF7476PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
额定功率2.5 W
通道数2 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻8 mΩ
极性N-CH
功耗2.5 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)12 V
漏源击穿电压12 V
连续漏极电流(Ids)15A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)2550pF @6V(Vds)
下降时间8.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
查看数据手册 >

IRF7476PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度4.9 mm
宽度3.9 mm
高度1.75 mm
查看数据手册 >

IRF7476PBF 数据手册

IRF7476PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.15 MByte
IRF7476PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.19 MByte

IRF7476 数据手册

IRF7476 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7476 数据手册
Infineon（英飞凌）
IRF7476 数据手册
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 12V ，ID = 15A） Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
IRF7476TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
IRF7476TRPBF 编带
IRF7476TRPBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7476PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF7476PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IRF7476PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 12 V, 8 mohm, 4.5 V, 1.9 V
IRF7476TRPBF 数据手册
IRF
IRF7476PBF 数据手册
Kexin
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet