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IRF7492PBF
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IRF7492PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:INFINEON  IRF7492PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 79 mohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:IRF7492PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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IRF7492PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7492PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.079 Ω
极性N-CH
功耗2.5 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)3.7A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)1820pF @25V(Vds)
下降时间14 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta)
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IRF7492PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
长度4.9 mm
宽度3.9 mm
高度1.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF7492PBF 数据手册

IRF7492PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.17 MByte
IRF7492PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
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IRF7492PBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
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