| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 3 W |
| 漏源极电阻 | 44 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 零部件系列 | IRF7494 |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1750pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRF7494PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 150 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7494TRPBF 场效应管, MOSFET
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