类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SO-8 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 44 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 3 W |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
漏源击穿电压 | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.1A |
输入电容值(Ciss) | 1783pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7494PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 150 V, 0.035 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF7494TRPBF 场效应管, MOSFET
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