| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 2.40 A |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 零部件系列 | IRF7501 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 上升时间 | 24 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 260pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2.4A 1.25W 表面贴装型 Micro8™
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.135ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7501TRPBF. 场效应管, MOSFET
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