| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 2.40 A |
| 封装 | Micro-8 |
| 额定功率 | 1.2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.085 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 零部件系列 | IRF7501 |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 输入电容 | 260 pF |
| 栅电荷 | 8.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 上升时间 | 24 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 260pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.135ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7501TRPBF. 场效应管, MOSFET
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