| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电流 | 2.40 A |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 漏源极电阻 | 270 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 零部件系列 | IRF7507 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 输入电容值(Ciss) | 260pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.4A，1.7A 1.25W 表面贴装型 Micro8™
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.11 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = + - 20V ） Power MOSFET(Vdss=+-20V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7507TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7507TRPBF 场效应管, MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
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