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IRF7509PBF
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IRF7509PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:µSOIC
描述:INFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
PDF文件:IRF7509PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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IRF7509PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7509PBF 技术参数、封装参数

类型描述
封装µSOIC
针脚数8 Position
漏源极电阻110 mΩ
极性N+P
功耗1.25 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)2.7A/2A
工作温度(Max)150 ℃
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IRF7509PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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IRF7509PBF 数据手册

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