| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | Micro-8 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.4A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1310pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 耗散功率(Max) | 1.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 5.4A 1.3W 表面贴装型 Micro8™
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.14 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.47 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.030ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7530TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
