| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 漏源极电阻 | 135 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.8 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.60 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.035ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.035ohm)
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