类型 | 描述 |
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封装 | Micro-8 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 520pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.8 W |
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.035ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.035ohm)
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