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IRF7769L1TRPBF
来自 AiPCBA

IRF7769L1TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:IRF7769L1TRPBF 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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IRF7769L1TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7769L1TRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数15 Pin
封装Direct-FET
额定功率3.3 W
针脚数15 Position
漏源极电阻0.0028 Ω
极性N-Channel
功耗3.3 W
阈值电压2.7 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)20A
上升时间32 ns
输入电容值(Ciss)11560pF @25V(Vds)
下降时间41 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.3W (Ta), 125W (Tc)
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IRF7769L1TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF7769L1TRPBF 数据手册

IRF7769L1TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.25 MByte
IRF7769L1TRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRF7769L1TRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
44 页 / 3.69 MByte
IRF7769L1TRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRF7769L1TRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IRF7769L1TRPBF 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

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IRF7769L1TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
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