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IRF7807D1PBF
来自 AiPCBA

IRF7807D1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:INFINEON  IRF7807D1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 V
PDF文件:IRF7807D1PBF 数据手册 (1 页)
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IRF7807D1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.025 Ω
极性N-CH
功耗2.5 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)8.3A
额定功率(Max)2.5 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta)
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IRF7807D1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF7807D1PBF 数据手册

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