| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 8.30 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 零部件系列 | IRF7807VD2 |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.30 A |
| 上升时间 | 1.20 ns |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
芯片组为DC- DC转换器 Chip-Set for DC-DC Converters
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRF7807VPBF SO-8
International Rectifier（国际整流器）
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