类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SO-8 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 9.1 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 13.6A |
上升时间 | 2.7 ns |
输入电容值(Ciss) | 1010pF @15V(Vds) |
下降时间 | 7.3 ns |
工作温度(Max) | 155 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 155℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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双路同步降压 - 控制器具有Out-of - Audio⑩操作和100mA LDO的用于笔记本系统电源 Dual-Synchronous, Step-Down Controller with Out-of-Audio? Operation and 100-mA LDOs for Notebook System Power
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF7821PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 30 V, 9.1 mohm, 10 V, 1 V
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30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET
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