| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 21.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 4.4 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | IRF7831 |
| 输入电容 | 6240pF @15V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21.0 A |
| 上升时间 | 10.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6240pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
?? HEXFET功率MOSFET HEXFETPower MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7831TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7831PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V
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