类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 4.4 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 2.35 V |
输入电容 | 6240 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 21A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 6240pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 5.3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
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IRF
?? HEXFET功率MOSFET HEXFETPower MOSFET
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INFINEON IRF7831TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7831PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V
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