| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 18.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 5.9 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | IRF7842 |
| 阈值电压 | 2.25 V |
| 输入电容 | 4500pF @20V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 输出电流(Max) | 2.5 A |
| 输入电容值(Ciss) | 4500pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 40 V ） Power MOSFET(Vdss = 40 V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7842TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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