| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 21.3 mΩ |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.8A/8.9A |
| 输入电容值(Ciss) | 600pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 MOSFET IRF7905TRPBF, 7.8 A，8.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 MOSFET IRF7905TRPBF, 7.8 A，8.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7905PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.9 A, 30 V, 0.0174 ohm, 10 V, 1.8 V
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