| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0098 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.1A/11A |
| 输入电容值(Ciss) | 850pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 9.1A，11A 2W 表面贴装型 8-SO
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Infineon（英飞凌）
N沟道 30 V 16.4 mOhm 6.7 nC HEXFET 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7907PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V
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