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IRF8010LPBF
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IRF8010LPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-262
描述:N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF8010LPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-262
额定功率260 W
漏源极电阻0.015 Ω
极性N-CH
功耗260 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间130 ns
输入电容值(Ciss)3830pF @25V(Vds)
下降时间120 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)260 W
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IRF8010LPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
高度10.54 mm
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