| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | N-CH |
| 零部件系列 | IRF8010S |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8010PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF8010STRLPBF. 场效应管, MOSFET 晶体管
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8010SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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