| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 16.6 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 6.8 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | IRF8113 |
| 阈值电压 | 2.2 V |
| 输入电容 | 2910pF @15V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.2 A |
| 上升时间 | 8.90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2910pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8113TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.2 V 新
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Infineon（英飞凌）
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