类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 2.50 A |
封装 | TO-263-3 |
漏源极电阻 | 3 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.1 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
上升时间 | 8.6 ns |
输入电容值(Ciss) | 360pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.1 W |
下降时间 | 16 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3100 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2000 |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
10 页 / 0.19 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
Intersil(英特矽尔)
2.5A , 500V , 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.0 A, 450 V / 500 V N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
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