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IRF830
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IRF830 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:IRF830 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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IRF830 数据手册 (8 页)
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IRF830 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)500 V
额定电流4.50 A
封装TO-220-3
漏源极电阻1.50 Ω
极性N-Channel
功耗74W (Tc)
输入电容610 pF
栅电荷38.0 nC
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500V (min)
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)4.50 A
上升时间16.0 ns
输入电容值(Ciss)610pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)74W (Tc)
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IRF830 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF830 数据手册

IRF830 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.27 MByte
IRF830 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
3 页 / 0.05 MByte
IRF830 产品封装文件
Vishay Siliconix
9 页 / 0.22 MByte
IRF830 其他参考文件
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte
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