| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3100 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 4.5 A ， 450V / 500V N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）
Intersil（英特矽尔）
4.5A ， 500V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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