Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRF840PBF Datasheet 文档
IRF840PBF
来自 AiPCBA

IRF840PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRF840PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRF840PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF840PBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF840PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流8.00 A
封装TO-220
额定功率125 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.85 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压4 V
输入电容1300pF @25V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125 W
查看数据手册 >

IRF840PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IRF840PBF 数据手册

IRF840PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.27 MByte
IRF840PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.25 MByte
IRF840PBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.06 MByte

IRF840 数据手册

IRF840 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF840 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF840 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF840 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF840 数据手册
Vishay Siliconix
IRF840 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
N沟道 500V 8A
IRF840 数据手册
CJ（长电科技）
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
IRF840 数据手册
TI（德州仪器）
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
IRF840 数据手册
Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）
IRF840PBF 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF840 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet