| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 1.5 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0155 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.4 W |
| 零部件系列 | IRF8513 |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.00 A |
| 输入电容值(Ciss) | 766pF @15V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8513PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 15.5 mohm, 10 V, 1.8 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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