| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 漏源极电阻 | 0.0119 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11A |
| 上升时间 | 7.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 760pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 4.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8707TRPBF 场效应管, MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8707GTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF8707PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新
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INFINEON IRF8707GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 11mA
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