类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0119 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
零部件系列 | IRF8707 |
阈值电压 | 1.8 V |
输入电容 | 760pF @15V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
输入电容值(Ciss) | 760pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF8707PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF8707GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 11mA
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