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IRF8707PBF 技术参数、封装参数

IRF8707PBF 外形尺寸、物理参数、其它

IRF8707PBF 数据手册

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IRF8707 数据手册

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Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707TRPBF  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707GTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0093 ohm, 10 V, 1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8707PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF8707GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 11mA
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