| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0136 Ω |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.9 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.8A |
| 上升时间 | 47 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1270pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 58 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET IRF9332TRPBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9332PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.8 A, -30 V, 13.6 mohm, -10 V, -1.9 V
International Rectifier（国际整流器）
-30V,-9.8A,17.5mΩ,P沟道功率MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
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