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IRF9383MTR1PBF
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IRF9383MTR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
PDF文件:IRF9383MTR1PBF 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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IRF9383MTR1PBF 数据手册 (10 页)
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IRF9383MTR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装Direct-FET
极性P-CH
功耗2.1W (Ta), 113W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)22A
上升时间160 ns
输入电容值(Ciss)7305pF @15V(Vds)
下降时间110 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 113W (Tc)
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IRF9383MTR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF9383MTR1PBF 数据手册

IRF9383MTR1PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.23 MByte
IRF9383MTR1PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRF9383MTR1PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.12 MByte

IRF9383MTR1 数据手册

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