类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -100 V |
额定电流 | -4.00 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 43 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.2 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 43 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | -100 V |
连续漏极电流(Ids) | -4.00 A |
上升时间 | 27 ns |
输入电容值(Ciss) | 200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 43 W |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 43 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.41 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最小包装数量 | 50 |
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
3 页 / 0.14 MByte
Intersil(英特矽尔)
3.0A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRF9510PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
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