Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > IRF9530PBF Datasheet 文档
IRF9530PBF
来自 AiPCBA

IRF9530PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:VISHAY  IRF9530PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
PDF文件:IRF9530PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF9530PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF9530PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-100 V
额定电流-12.0 A
封装TO-220
额定功率88 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.3 Ω
极性P-Channel
功耗88 W
漏源极电压(Vds)100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)-12.0 A
上升时间52.0 ns
输入电容值(Ciss)860pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)88000 mW
查看数据手册 >

IRF9530PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度10.41 mm
宽度4.7 mm
高度9.01 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
查看数据手册 >

IRF9530PBF 数据手册

IRF9530PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.26 MByte
IRF9530PBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
20 页 / 2.6 MByte
IRF9530PBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
3 页 / 0.14 MByte

IRF9530 数据手册

IRF9530 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF9530 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF9530 数据手册
Vishay Siliconix
IRF9530 数据手册
Intersil（英特矽尔）
12A ， 100V ， 0.300欧姆，P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9530 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF9530 数据手册
Samsung（三星）
IRF9530 数据手册
Harris
P沟道 100V 12A
IRF9530 数据手册
Infineon（英飞凌）
IRF9530 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
IRF9530 数据手册
Semelab
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF9530 数据手册IRF9530 引脚图 PDF
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet