| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 3.8 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 117 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3.8 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1450 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 23A |
| 上升时间 | 67 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1450pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 51 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 100 V 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
19A ， 100V ， 0.200欧姆，P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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