| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 40000 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 P 通道 200 V 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
3.5A ， 200V ， 1.500欧姆，P沟道功率MOSFET 3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -200V ， RDS（ON） = 1.5ohm ，ID = -3.5A ） Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9620PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
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