| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -200 V |
| 额定电流 | -3.50 A |
| 封装 | TO-220 |
| 额定功率 | 20 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 40 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -3.50 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
3.5A ， 200V ， 1.500欧姆，P沟道功率MOSFET 3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -200V ， RDS（ON） = 1.5ohm ，ID = -3.5A ） Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A)
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRF9620PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.5 A, -200 V, 1.5 ohm, -10 V, -4 V
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