| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -200 V |
| 额定电流 | -6.50 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 74 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.8 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 74 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.50 A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 700pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 74 W |
| 下降时间 | 24 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 74 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
8 页 / 0.28 MByte
VISHAY（威世）
9 页 / 0.26 MByte
VISHAY（威世）
3 页 / 0.14 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -200V ， RDS（ON） = 0.80ohm ，ID = -6.5A ） Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
VISHAY（威世）
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
