| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.8 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.50 A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 700pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 24 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.02 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 2000 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -200V ， RDS（ON） = 0.80ohm ，ID = -6.5A ） Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
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