| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -200 V |
| 额定电流 | -11.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 125 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.5 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -11.0 A |
| 上升时间 | 43 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
11A ， 200V ， 0.500欧姆，P沟道功率MOSFET 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
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