类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.5 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 3 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | -11.0 A |
上升时间 | 43 ns |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3 W |
下降时间 | 38 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 800 |
P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
Intersil(英特矽尔)
11A , 200V , 0.500欧姆,P沟道功率MOSFET 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V
VISHAY(威世)
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