| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A/12A |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 N 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道配置。
Infineon（英飞凌）
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IRF
双SO- 8 MOSFET在台式机，服务器，显卡，游戏机POL转换器和机顶盒 Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
Infineon（英飞凌）
N沟道 20 V 2 W 7.4/15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon（英飞凌）
HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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