| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.3A |
| 输入电容值(Ciss) | 190pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.1 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.02 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9953PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
