| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -2.30 A |
| 封装 | SOIC |
| 零部件系列 | IRF9953 |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.30 A |
| 上升时间 | 14.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9953PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V
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