| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 8.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 190pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 3.5A 2W 表面贴装型 8-SO
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.10ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF9956PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
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