类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -6.70 A |
封装 | TO-220 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 43.0 W |
漏源击穿电压 | -60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -6.70 A |
上升时间 | 63.0 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9540NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9310TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9540NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 20 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9Z24NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9530NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9358TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.013 ohm, -10 V, -1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9530NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 14A, TO-220AB 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件